[发明专利]半导体装置精细构图方法有效
| 申请号： | 200810149291.5 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101546693A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 赵南勉;宋永勋;金明哲;朴荣周;李时镛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/31;H01L21/308;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在集成电路制作过程中的构图方法，包括在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构，并在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底的第二区域上沉积掩模材料。从所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构，并且构图所述掩模材料，以在所述间隔物支持结构的侧壁形成间隔物，并且在所述掩模结构下形成掩模图案。所述间隔物支持结构和所述掩模结构由旋涂的相应的高碳含量材料组成，其具有基本相同的蚀刻选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 精细 构图 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在集成电路制作过程中的构图方法，所述方法包括：在半导体衬底上的第一区域中形成至少一个间隔物支持结构；在所述间隔物支持结构的暴露表面和所述半导体衬底上的第二区域上沉积掩模材料；在所述掩模材料位于所述第二区域中的部分上形成掩模结构；及构图所述掩模材料，以在所述间隔物支持结构的侧壁上形成间隔物，并且在所述掩模结构下面形成掩模图案，其中所述间隔物支持结构和所述掩模结构由具有基本相同的蚀刻选择性的相应的材料组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
