[发明专利]一种铜包覆碳化硅复合材料及其制备无效

专利信息
申请号: 200810147957.3 申请日: 2008-12-23
公开(公告)号: CN101439973A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 廖立;王均;谢克难;汪玉洁;龙沁;赖雪飞 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C04B35/628 分类号: C04B35/628;C04B35/565
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610207四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于包覆材料领域,特别是涉及铜包覆碳化硅复合材料。利用氧化还原反应原理通过非均相沉淀方法,将铜均匀、致密地包覆在微米碳化硅颗粒表面,从而制得具有多种用途的纳米铜包覆微米碳化硅复合粉体颗粒。该法制备出的此种材料具有优越的导电,导热性,高温强度好,与金属基体具有良好的润湿性,应用前景好。
搜索关键词: 一种 铜包覆 碳化硅 复合材料 及其 制备
【主权项】:
1. 一种纳米铜包裹微米碳化硅颗粒的复合粉末生产方法,其特征在于,首先将过量氨水加入硫酸铜水溶液中,再将混合液加入一定水浴温度的微米碳化硅与分散剂的悬浊液中,搅拌混合均匀,再加入水合肼,开始非均相沉淀反应,保温1小时后,过滤洗涤,干燥,得到铜包覆碳化硅粉末。
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