[发明专利]一种铜包覆碳化硅复合材料及其制备无效
| 申请号: | 200810147957.3 | 申请日: | 2008-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN101439973A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
| 发明(设计)人: | 廖立;王均;谢克难;汪玉洁;龙沁;赖雪飞 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | C04B35/628 | 分类号: | C04B35/628;C04B35/565 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610207四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明属于包覆材料领域,特别是涉及铜包覆碳化硅复合材料。利用氧化还原反应原理通过非均相沉淀方法,将铜均匀、致密地包覆在微米碳化硅颗粒表面,从而制得具有多种用途的纳米铜包覆微米碳化硅复合粉体颗粒。该法制备出的此种材料具有优越的导电,导热性,高温强度好,与金属基体具有良好的润湿性,应用前景好。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 铜包覆 碳化硅 复合材料 及其 制备 | ||
【主权项】:
1. 一种纳米铜包裹微米碳化硅颗粒的复合粉末生产方法,其特征在于,首先将过量氨水加入硫酸铜水溶液中,再将混合液加入一定水浴温度的微米碳化硅与分散剂的悬浊液中,搅拌混合均匀,再加入水合肼,开始非均相沉淀反应,保温1小时后,过滤洗涤,干燥,得到铜包覆碳化硅粉末。
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