[发明专利]曝光装置、曝光方法以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200810145331.9 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101364051A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 林省一郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种即使当光罩被倾斜时也具有高分辨率的曝光装置。该曝光装置包括：用于将形成在光罩(101)的表面上的图案投射在晶圆(130)上的光学系统；用于测定光罩(101)相对于与光学系统的光轴方向垂直的平面的倾斜角度的测定部；以及用于根据由测定部所测定的倾斜角度来调整晶圆(130)的位置的调整部。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，包括：光学系统，用于将形成在光罩的表面上的图案投射在晶圆上；测定部，用于测定所述光罩相对于与所述光学系统的光轴方向垂直的平面的倾斜角度；以及晶圆载物台，用于保持所述晶圆。
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