[发明专利]用于衬垫下ESD和衬垫下有源区接合的接合垫叠层

摘要

用于衬垫下ESD和衬垫下有源区接合的接合垫叠层。一种布局改进与内层介电(ILD)材料改进的结合，以提供接合垫叠层，其仅具有一个或两个衬垫金属层，并且对于电路中的金(Au)和铜(Cu)引线都是鲁棒的。布局改进包括去除在顶部金属层和该顶部金属层之下的金属层之间位于钝化开口之下的区域(放置探针末端以及接合引线的位置)中的所有通路。这允许没有通路间断的更均匀的材料，因此降低了ILD中的应力集中点。ILD材料改进包括除了氧化硅层之外还添加一氮化硅层。传统上，ILD由旋涂或高密度等离子体(HDP)氧化物构成。在最高ILD层上的氧化物上生长氮化硅薄层提供一种显著增加了韧性的复合物，避免裂纹或其他损伤传入下面的有源电路和布线。

主权项

1、一种用于集成电路的接合垫叠层结构，该结构包括：一个或多个下部导电层，具有形成于其间的介电材料，每一个下部导电层具有的宽度小于或等于第一宽度；顶部导电层，形成于该一个或多个下部导电层之上且在顶部导电层和该一个或多个下部导电层之间形成有介电材料，顶部导电层具有大于第一宽度的第二宽度，以使顶部导电层包括形成在该一个或多个下部导电层之上的第一部分以及延伸超过该一个或多个下部导电层的第一宽度的第二部分；第一钝化层，形成于顶部导电层之上且具有穿过其而形成的开口，以暴露顶部导电层的第二部分的上表面区域；导电接合垫层，形成于第一钝化层上，使得该接合垫层包括形成于顶部导电层的第一部分之上的第一部分，以及延伸穿过第一钝化层中的开口并与顶部导电层电接触的第二部分；以及第二钝化层，形成于导电接合垫层之上且具有穿过其而形成的开口，以暴露导电接合垫层的第一部分的接合垫表面区域。