[发明专利]用于衬垫下ESD和衬垫下有源区接合的接合垫叠层

权利要求书

1.一种用于集成电路的接合垫叠层结构，该结构包括：

一个或多个下部导电层，具有形成于其间的介电材料，每一个下部导电层具有的宽度小于或等于第一宽度；

顶部导电层，形成于该一个或多个下部导电层之上且在顶部导电层和该一个或多个下部导电层之间形成有介电材料，顶部导电层具有大于第一宽度的第二宽度，以使顶部导电层包括形成在该一个或多个下部导电层之上的第一部分以及延伸超过该一个或多个下部导电层的第一宽度的第二部分；

第一钝化层，形成于顶部导电层之上且具有穿过其而形成的开口，以暴露顶部导电层的第二部分的上表面区域；

导电接合垫层，形成于第一钝化层上，使得该接合垫层包括形成于顶部导电层的第一部分之上的第一部分，以及延伸穿过第一钝化层中的开口并与顶部导电层电接触的第二部分；以及

第二钝化层，形成于导电接合垫层之上且具有穿过其而形成的开口，以暴露导电接合垫层的第一部分的接合垫表面区域。

2.如权利要求1所述的结构，且其中介电材料包括氧化硅。

3.如权利要求1所述的结构，且其中介电材料包括淀积的氧化硅。

4.如权利要求1所述的结构，且其中第一钝化层包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的结构，且其中接合垫层包括铝。

6.如权利要求1所述的结构，且其中第二钝化层包括氮化硅。

7.如权利要求1所述的结构，且其中第二钝化层包括苯并环丁烯(BCB)基聚合物介电材料。

8.一种形成接合垫叠层结构的方法，该方法包括：

形成一个或多个下部导电层，具有形成于其间的介电材料，每一个下部导电层具有的宽度小于或等于第一宽度；

形成顶部导电层于该一个或多个下部导电层之上，使得顶部导电层和下部导电层之间形成有介电材料，顶部导电层具有大于第一宽度的第二宽度，使得顶部导电层包括形成在该一个或多个下部导电层之上的第一部分，以及延伸超过该一个或多个下部导电层的第一宽度的第二部分；

形成第一钝化层于顶部导电层之上，使得第一钝化层具有穿过其而形成的开口，以暴露顶部导电层的第二部分的上表面区域；

形成导电接合垫层于第一钝化层之上，使得该导电接合垫层包括形成于顶部导电层的第一部分之上的第一部分，以及延伸穿过第一钝化层中的开口并与顶部导电层电接触的第二部分；以及

形成第二钝化层于导电接合垫层之上，具有穿过其而形成的开口，以暴露导电接合垫层的第一部分的接合垫表面区域，使得该接合垫表面区域形成于该一个或多个下部导电区域上。

9.一种用于集成电路的接合垫叠层结构，该结构包括：

一个或多个下部导电层，具有形成于其间的介电材料，每一个下部导电层具有的宽度小于或等于第一宽度；

顶部导电层，形成于该一个或多个下部导电层之上且在顶部导电层和该一个或多个下部导电层之间形成有介电材料，顶部导电层具有大于第一宽度的第二宽度，以使顶部导电层包括形成在该一个或多个下部导电层之上的第一部分以及延伸超过该一个或多个下部导电层的第一宽度的第二部分；

第一钝化层，形成于顶部导电层之上且具有穿过其而形成的开口，以暴露顶部导电层的第二部分的上表面区域；

导电接合垫层，形成于第一钝化层上，使得该导电接合垫层包括形成于顶部导电层的第一部分之上的第一部分，以及延伸穿过第一钝化层中的开口并与暴露的顶部导电层的第二部分的上表面区域电接触的第二部分；以及

第二钝化层，形成于导电接合垫层之上且具有穿过其而形成的开口，以暴露导电接合垫层的第一部分的接合垫表面区域，使得该暴露的接合垫表面区域形成在该一个或多个下部导电层上。

10.如权利要求9所述的接合垫结构，其中介电材料包括氧化硅。

11.如权利要求9所述的接合垫结构，其中介电材料包括淀积的氧化硅。

12.如权利要求9所述的接合垫结构，其中第一钝化层包括氮化硅。

13.如权利要求9所述的接合垫结构，其中接合垫层包括铝。

14.如权利要求9所述的接合垫结构，其中第二钝化层包括氮化硅。

15.如权利要求9所述的接合垫结构，其中第二钝化层包括苯并环丁烯(BCB)基聚合物介电材料。