[发明专利]具有密封环结构的半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200810144560.9 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101373742A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美达矢 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有密封环结构的半导体器件及其形成方法。本发明的半导体器件包括密封环结构。该密封环结构包括：第一金属层，包括贯通孔，该贯通孔具有填充有绝缘材料的底部；和第二金属层，形成在第一金属层上。所述第二金属层具有从该第二金属层的底部突出的凸部，并且该凸部被插入到贯通孔的顶部中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 密封 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；元件形成区域，形成在所述衬底上，并具有形成在其中的通孔和布线；以及密封环，形成在所述衬底上，所述密封环形成在所述元件形成区域的外围以便环绕所述元件形成区域，所述密封环包括第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层具有形成在其中以便环绕元件形成区域的贯通孔，所述第二金属层形成在所述第一金属层上以便与所述第一金属层接触，其中，在所述第一金属层中的所述贯通孔中，其下部设置有形成在其上的绝缘材料，而未设置有形成在其上的所述绝缘材料的上部设置有构成所述第二金属层的金属材料，所述金属材料被形成为突出到所述上部中。
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