[发明专利]能量过滤磁控溅射镀膜方法及实施该方法的装置无效
| 申请号： | 200810140497.1 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101307430A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 姚宁;韩昌报 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 450001河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能量过滤磁控溅射镀膜方法及实施该方法的装置，该方法是在待镀膜衬底表面与溅射靶材之间设置一与阳极相连的导电过滤网，溅射镀膜过程中受轰击的阴极溅射靶材所产生的离子经过导电过滤网过滤后再送向阳极处的待镀膜衬底的镀膜生长表面。溅射靶材所产生的离子在经过导电过滤网时，带有阳极高电位的导电过滤网吸引其中的高能电子、排斥其中的高能正离子；本发明可在原有装置的基础上在衬底外罩设带有阳极高电位的导电过滤网，抑制磁控溅射技术制备薄膜过程中高能粒子轰击对衬底造成的损伤，并使制备出的薄膜表面晶粒更加细小、均匀，平整度更高；而且本发明可由传统装置改动而成，改动不大、易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 过滤 磁控溅射 镀膜 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
1、能量控制磁控溅射镀膜方法，其特征在于：(1)在待镀膜衬底的薄膜生长表面与溅射靶材之间设置有在溅射镀膜过程中带有阳极高电位的导电过滤网；(2)受轰击的阴极溅射靶材所产生的离子经过导电过滤网过滤后再送向阳极处的待镀膜衬底的镀膜生长表面，溅射靶材所产生的离子在经过导电过滤网时，带有阳极高电位的导电过滤网吸引其中的高能电子、排斥其中的高能正离子。
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