[发明专利]能量过滤磁控溅射镀膜方法及实施该方法的装置

权利要求书

1、能量控制磁控溅射镀膜方法，其特征在于：

(1)在待镀膜衬底的薄膜生长表面与溅射靶材之间设置有在溅射镀膜过程中带有阳极高电位的导电过滤网；

(2)受轰击的阴极溅射靶材所产生的离子经过导电过滤网过滤后再送向阳极处的待镀膜衬底的镀膜生长表面，溅射靶材所产生的离子在经过导电过滤网时，带有阳极高电位的导电过滤网吸引其中的高能电子、排斥其中的高能正离子。

2、根据权利要求1所述的能量过滤磁控溅射镀膜方法，其特征在于：所述的导电过滤网与镀膜中作为阳极的衬底安装件导电连接，导电过滤网罩挡设置于衬底安装架的衬底安装处的外围。

3、根据权利要求1或2所述的能量过滤磁控溅射镀膜方法，其特征在于：

所述导电过滤网为金属材料或导电非金属材料。

4、能量过滤磁控溅射镀膜装置，包括真空室内相对设置的衬底支架阳极和溅射靶材阴极，其特征在于：在衬底支架的衬底安装处与溅射靶材之间设有可罩挡需镀膜衬底的薄膜生长表面的导电过滤网，所述导电过滤网导电连接于在溅射镀膜过程中具有阳极高电位的阳极装置上。

5、根据权利要求4所述的能量过滤磁控溅射镀膜装置，其特征在于：所述的阳极装置为阳极的衬底支架。

6、根据权利要求4或5所述的能量过滤磁控溅射镀膜装置，其特征在于：

所述导电过滤网为金属材料或导电非金属材料。