[发明专利]基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法

摘要

本发明公开的一种基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，通过先平面键合到支撑基底上再分离单元器件的方式，即先实现GaN LED与支撑基底的无间隙接合，再实现各单元GaN LED器件之间的绝对分离，以降低激光剥离过程裂缝的产生及裂缝的延伸，借助暂时性基底待激光剥离后进行芯片制造，保证大面积激光剥离去除蓝宝石衬底制造薄膜GaN LED的高成品率。

主权项

1. 基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其步骤为：1)在蓝宝石衬底上外延生长GaN基蓝光LED发光材料，发光材料依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN基半导体层；2)在p型GaN基半导体层上顺序沉积p金属及反射金属膜、多层金属膜；3)采用共晶键合方式将GaN基外延膜接合到永久支撑基底上；4)对永久支撑基底及与之接合的GaN基外延膜进行周期性切割处理，分离单元器件；5)通过感光性树脂将各单元器件连接到暂时性支撑基底上；6)采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除；7)在n型GaN基半导体层上沉积n金属层；8)将上述发光器件粘贴到翻晶膜上；9)采用紫外光照射感光性树脂，去除暂时性支撑基底。