[发明专利]基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法

权利要求书

1.基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其步骤为：

1)在蓝宝石衬底上外延生长GaN基蓝光LED发光材料，发光材料是由n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN基半导体层构成的GaN基外延膜；

2)在p型GaN基半导体层上顺序沉积p金属及反射金属膜、多层金属膜；在多层金属膜上沉积共晶焊料层；

3)采用共晶键合方式将GaN基外延膜接合到永久性支撑基底上；

4)对永久性支撑基底及与之接合的GaN基外延膜进行周期性切割处理，分离单元器件；在各单元器件的永久性支撑基底底部沉积欧姆接触金属；

5)通过感光性树脂将各单元器件连接到暂时性支撑基底上；

6)采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除；

7)在n型GaN基半导体层上沉积n金属层；

8)将上述连接到暂时性支撑基底上的单元器件粘贴到翻晶膜上；

9)采用紫外光照射感光性树脂，去除暂时性支撑基底。

2.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：GaN基蓝光LED发光材料是通过金属有机气相化学沉淀法形成的。

3.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：反射金属膜材料选自Al、Ag、Ni、Au、Cu、Pd和Rh组成族群中的物质所形成的一种合金。

4.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：共晶焊料层选自AuSn、Sn、AuGe或AuSi。

5.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于；永久性支撑基底材料选自GaAs、Ge或Si。

6.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：共晶键合温度是200～500℃，共晶键合压力是1000～20000N。

7.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：暂时性支撑基底选自玻璃或石英。

8.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：感光性树脂选自感光性聚酰亚胺树脂、感光性苯并环丁烯树脂或感光性环氧树脂。

9.根据权利要求1所述的基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法，其特征在于：采用248nm KrF准分子激光，激光能量密度400～1200mJ/cm²。