[发明专利]硅衬底外延片去边腐蚀方法以及腐蚀用装片篮有效
| 申请号： | 200810136449.5 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101452983A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 李迪;徐小红;王健荣;封波 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/306;H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了硅衬底外延片去边腐蚀方法以及腐蚀用装片篮，解决了生产效率低下的问题。其中方法包括如下过程：对外延片进行掩膜，露出待腐蚀的部分；将两片外延片背靠背地放置在具有放射状栅格槽的球形装片篮的栅格槽内；将装片篮放入磷酸槽内用磷酸进行去边腐蚀，完成后取出装片篮。装片篮包括有栅格槽的球形篮体，篮体包括至少一个上篮体、至少一个下篮体和一个用于提起篮体的提杆；上篮体和下篮体上设有沿中心呈放射状分布的栅格槽；上篮体和下篮体相扣在一起使它们的栅格槽相对形成容置并夹持住圆片的圆片槽；提杆与篮体连接。本发明主要应用于硅衬底LED生产过程中对外延片的去边腐蚀工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 片去边 腐蚀 方法 以及 用装片篮 | ||
【主权项】：
1、一种硅衬底外延片去边腐蚀方法，包括如下过程：掩膜：将在外延片的台面上生长的多层半导体结构要保护的部分进行掩膜，露出待腐蚀的边缘；装片：在具有放射状栅格槽的球形装片篮的同一栅格槽内背靠背地放置两片外延片，合上装片篮的上篮和下篮；腐蚀：将装片篮放入磷酸槽内用磷酸对外延片进行去边腐蚀，完成后取出装片篮。
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