[发明专利]硅衬底外延片去边腐蚀方法以及腐蚀用装片篮

权利要求书

1.一种硅衬底外延片去边腐蚀方法，包括如下过程：

掩膜：将在外延片的台面上生长的多层半导体结构要保护的部分进行掩膜，露出待腐蚀的边缘；

装片：在具有放射状栅格槽的球形装片篮的同一栅格槽内背靠背地放置两片外延片，合上装片篮的上篮和下篮；

腐蚀：将装片篮放入磷酸槽内用磷酸对外延片进行去边腐蚀，完成后取出装片篮；

其中，所述装片篮包括有栅格槽的篮体，篮体包括至少一个上篮体、至少一个下篮体和一个用于提起篮体的提杆；其中上篮体和下篮体为结构相同的半球形体，上篮体和下篮体上设有沿半球形体中心轴呈放射状分布的所述栅格槽；上篮体和下篮体相扣在一起使它们的栅格槽相对形成容置外延片的圆片槽；提杆与篮体连接。

2.根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边腐蚀方法，其特征在于：所述外延片为圆片或破片。

3.根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边腐蚀方法，其特征在于：放置在同一栅格槽内的所述两片外延片为一片圆片和一片破片。

4.根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边腐蚀方法，其特征在于：将装片篮放入磷酸槽内，对外延片进行去边腐蚀，3分钟～5分钟后取出装片篮。

5.根据权利要求1所述的硅衬底外延片去边腐蚀方法，其特征在于：所述磷酸槽内的磷酸为沸腾状态的磷酸溶液。

6.一种用于权利要求1所述方法中的腐蚀用装片篮，包括有栅格槽的篮体，其特征在于：所述篮体包括至少一个上篮体、至少一个下篮体和一个用于提起篮体的提杆；其中上篮体和下篮体为结构相同的半球形体，上篮体和下篮体上设有沿半球形体中心轴呈放射状分布的所述栅格槽；上篮体和下篮体相扣在一起使它们的栅格槽相对形成容置外延片的圆片槽；提杆与篮体连接。

7.根据权利要求6所述的装片篮，其特征在于：所述上篮体和下篮体中心设有提杆孔；所述提杆包括上端的手提端和下端的大头端，提杆穿过上篮体和下篮体，由下端的大头端在提杆孔的孔口处托住所述篮体。

8.根据权利要求6所述的装片篮，其特征在于：所述篮体由一个上篮体和一个下篮体构成。

9.根据权利要求6所述的装片篮，其特征在于：所述上篮体或下篮体上的栅格槽的栅格数为30格。

10.根据权利要求6所述的装片篮，其特征在于：所述栅格槽的底部有托住圆片的筋条或者篮体的栅格槽外侧设有侧挡边。