[发明专利]氮化铝或氧化铍的陶瓷覆盖晶片无效
| 申请号： | 200810135599.4 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101418436A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·M·拉希德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23F1/12;H01L21/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种通过在向腔室中引入清洁剂之前装载包含氮化铝陶瓷晶片或者氧化铍陶瓷晶片的陶瓷覆盖衬底到基座上，用于在清洁操作期间保护基座的方法和装置。在一个实施例中，提供一种氮化铝陶瓷覆盖衬底，该氮化铝陶瓷覆盖衬底包括氮化铝陶瓷晶片，具有大于160W/m-K的热传导率，从约11英寸到约13英寸范围内的直径的圆形几何形状，从约0.03英寸到约0.060英寸范围内的厚度，以及约0.010英寸或更小的平整度。热传导率可以是约180W/m-K、约190W/m-K或者更大。厚度可以是从约0.035英寸到约0.050英寸的范围内，以及平整度可以是约0.008英寸、约0.006英寸或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 氧化铍 陶瓷 覆盖 晶片 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化铝陶瓷覆盖衬底，包括：氮化铝陶瓷晶片，具有大于160W/m-K的热传导率；圆形几何形状，包括从约11英寸到约13英寸范围内的直径；从约0. 03英寸到约0.060英寸范围内的厚度；以及约0. 010英寸或更小的平整度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
