[发明专利]氮化铝或氧化铍的陶瓷覆盖晶片无效
| 申请号: | 200810135599.4 | 申请日: | 2008-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN101418436A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
| 发明(设计)人: | 穆罕默德·M·拉希德 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23F1/12;H01L21/00;B08B7/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化 氧化铍 陶瓷 覆盖 晶片 | ||
1.一种氮化铝陶瓷覆盖衬底,包括:
氮化铝陶瓷晶片,具有大于160W/m-K的热传导率;
圆形几何形状,包括从约11英寸到约13英寸范围内的直径;
从约0.03英寸到约0.060英寸范围内的厚度;以及
约0.010英寸或更小的平整度。
2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述热传导率是约180W/m-K或更大。
3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述厚度是从约0.035英寸到约0.050英寸的范围内。
4.根据权利要求3所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述厚度是约0.040英寸。
5.根据权利要求4所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述平整度是约0.006英寸或更小。
6.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述氮化铝陶瓷晶片还包括具有光洁度为约120微英寸或更小的底表面。
7.根据权利要求6所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述光洁度是约10微英寸或更小。
8.根据权利要求6所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述顶表面具有镜面光洁度。
9.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述氮化铝陶瓷晶片还包括铍、氧化铍或其衍生物。
10.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述氮化铝陶瓷晶片还包括铒、氧化铒或其衍生物。
11.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述氮化铝陶瓷晶片还包括钇、氧化钇、氧化铝或其衍生物。
12.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述氮化铝陶瓷晶片还包括含金属的金属氧化物,所述金属选自包括钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨及其合金、衍生物或组合的组。
13.一种氮化铝覆盖衬底,包括:
氮化铝陶瓷晶片,具有约160W/m-K或更大的热传导率;
圆形几何形状;
从约0.03英寸到约0.060英寸范围内的厚度;以及
约0.010英寸或更小的平整度。
14.根据权利要求13所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述热传导率是从约160W/m-K到约200W/m-K的范围内。
15.根据权利要求13所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述圆形几何形状包括从约11.2英寸到约12.8英寸的范围内的直径。
16.根据权利要求13所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述圆形几何形状包括从约7.2英寸到约8.8英寸的范围内的直径。
17.根据权利要求13所述的氮化铝陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述圆形几何形状包括从约5.2英寸到约6.8英寸的范围内的直径。
18.一种氧化铍陶瓷覆盖衬底,包括:
氧化铍陶瓷晶片,具有约200W/m-K或更大的热传导率;
从约0.030英寸到约0.060英寸的范围内的厚度;以及
约0.010英寸或更小的平整度。
19.根据权利要求18所述的氧化铍陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述热传导率是约250W/m-K或更大。
20.根据权利要求19所述的氧化铍陶瓷覆盖衬底,其特征在于,所述热传导率是约330W/m-K或更大。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





