[发明专利]第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件有效
| 申请号： | 200810134757.4 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101355131A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤义树;牛田泰久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其中在除了Ga－极性C－面的表面上形成负电极。在第III族氮化物基化合物半导体发光器件中，在R－面蓝宝石衬底上形成n－接触层、用于改善静电击穿电压的层、由具有十个堆叠的未掺杂In0.1Ga0.9N层、未掺杂GaN层以及硅(Si)掺杂GaN层的组的多层结构制成的n－覆盖层、由交替堆叠的In0.25Ga0.75N阱层和GaN势垒层的组合制成的多量子阱(MQW)发光层、由包括p－型Al0.3Ga0.7N层和p－In0.08Ga0.92N层的多层结构制成的p－覆盖层、和由包括具有不同镁浓度的两个p－GaN层的堆叠结构制成的p－接触层(厚度：约80nm)。通过蚀刻，为具有沿c－轴的厚度方向的n－接触层提供条纹图案化微沟，每个微沟具有表现C－面的侧壁，由此在负电极和每个C－面侧壁之间建立欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其通过外延生长第III族氮化物基化合物半导体制造并具有提供有负电极的n-型区域；其中所述n-型区域由通过外延生长形成的n-型第III族氮化物基化合物半导体层的表面限定，并且具有一个或更多个不平行于c-轴的且在表现除了第III族元素极性C-面以外的主面的所述表面上通过蚀刻形成的表面。
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