[发明专利]第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件

权利要求书

1.一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其通过外延生长第III族 氮化物基化合物半导体制造并具有提供有负电极的n-型区域；

其中所述n-型区域由通过外延生长形成的n-型第III族氮化物基化合 物半导体层的表面限定，所述表面表现A-面或M-面作为其主面，且具有 至少一个其为第III族元素极性C-面的接触表面，所述接触表面通过蚀 刻所述n-型区域的所述表面形成，且所述负电极与所述接触表面接触。

2.一种第III族氮化物基化合物半导体器件，其通过外延生长第III族 氮化物基化合物半导体制造并具有提供有负电极的n-型区域；

其中所述n-型区域由n-型第III族氮化物基化合物半导体衬底的表面 限定，所述表面表现A-面或M-面作为其主面，且具有至少一个其为第 III族元素极性C-面的接触表面，所述接触表面通过蚀刻所述n-型区域的 所述表面形成，且所述负电极与所述接触表面接触。

3.根据权利要求1所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述接触表面是条纹形微沟的侧壁。

4.根据权利要求2所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述接触表面是条纹形微沟的侧壁。

5.根据权利要求1所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述第III族氮化物基化合物半导体外延生长在具有R-面作为其主面的蓝宝 石衬底上。

6.根据权利要求3所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中所 述第III族氮化物基化合物半导体外延生长在具有R-面作为其主面的蓝宝 石衬底上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的第III族氮化物基化合物半导体 器件，其中通过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一 金属层和含有至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。

8.根据权利要求3～4中任一项所述的第III族氮化物基化合物半导体 器件，其中所述侧壁是倾斜的表面。

9.根据权利要求8所述的第III族氮化物基化合物半导体器件，其中通 过气相沉积依次形成含有至少钛(Ti)或钒(V)的第一金属层和含有 至少铝(Al)的第二金属层来提供所述负电极。