[发明专利]透明导电氧化物绒面的制备方法无效
| 申请号： | 200810132260.9 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101308882A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 范振华 | 申请（专利权）人： | 东莞宏威数码机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 523081广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明导电氧化物绒面的制备方法，包括：对生成有透明导电氧化物薄膜的基片进行干法刻蚀，以在所述透明导电氧化物薄膜上形成绒面。本发明还涉及了另一种透明导电氧化物绒面的制备方法，包括：在已进行干法刻蚀后的基片生长透明导电氧化物薄膜。本发明采用干法刻蚀处理基片或TCO薄膜，以获得具有较高粗糙度且均一性好的TCO绒面，这种TCO绒面结构可以实现良好的光阱作用并提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 氧化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种透明导电氧化物绒面的制备方法，包括：对生成有透明导电氧化物薄膜的基片进行干法刻蚀，以在所述透明导电氧化物薄膜上形成绒面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
