[发明专利]透明导电氧化物绒面的制备方法无效
| 申请号: | 200810132260.9 | 申请日: | 2008-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN101308882A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
| 发明(设计)人: | 范振华 | 申请(专利权)人: | 东莞宏威数码机械有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 523081广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透明 导电 氧化物 制备 方法 | ||
1、一种透明导电氧化物绒面的制备方法,包括:对生成有透明导电氧化物薄膜的基片进行干法刻蚀,以在所述透明导电氧化物薄膜上形成绒面。
2、根据权利要求1所述的制备方法,其中所述对生成有透明导电氧化物薄膜的基片进行干法刻蚀的操作具体为:通过含卤素的气体和含氢元素的气体中一种气体或两种以上的混合气体产生的等离子体对生成有透明导电氧化物薄膜的基片进行干法刻蚀。
3、根据权利要求1所述的制备方法,其中所述基片为已被刻蚀的平面玻璃、未被刻蚀的绒面玻璃或已被刻蚀的绒面玻璃。
4、根据权利要求3所述的制备方法,其中所述平面玻璃或绒面玻璃的刻蚀操作具体为:
通过至少一种氟化物气体等离子体对所述平面玻璃或绒面玻璃进行干法刻蚀。
5、根据权利要求1所述的制备方法,其中在干法刻蚀过程中,还通过高能量的惰性气体离子对透明导电氧化物薄膜进行轰击。
6、根据权利要求1所述的制备方法,其中在干法刻蚀过程中,产生具有刻蚀活性的等离子体的方式包括:
利用直流、中频、射频、微波、直流+脉冲或直流+射频方式在反应腔内使气体分子离化,产生等离子体;或者
利用远程激发方式在反应腔外使气体分子离化,产生等离子体,然后通过管道通入反应腔。
7、一种透明导电氧化物绒面的制备方法,包括:在已进行干法刻蚀后的基片上生长透明导电氧化物薄膜。
8、根据权利要求7所述的制备方法,其中所述基片为平面玻璃或者绒面玻璃。
9、根据权利要求根据权利要求8所述的制备方法,其中对所述平面玻璃或者绒面玻璃进行干法刻蚀的操作具体为:
通过至少一种氟化物气体等离子体对所述平面玻璃或绒面玻璃进行干法刻蚀。
10、根据权利要求7所述的制备方法,其中在干法刻蚀过程中,产生活性刻蚀离子的等离子体的方式包括:
利用直流、中频、射频、微波、直流+脉冲或直流+射频方式在反应腔内使气体分子离化,产生等离子体;或者
利用远程激发方式在反应腔外使气体分子离化,产生等离子体,然后通过管道通入反应腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





