[发明专利]Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810132092.3 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101355129A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤义树;矢岛孝义;牛田泰久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种III族氮化物基化合物半导体发光器件，包括极性反转层，其包括具有凸部的表面；和形成在所述极性反转层上的透明电极。该极性反转层可具有不小于1×1020原子/cm3的镁浓度或不小于2×1020原子/cm3且不大于5×1021原子/cm3的镁浓度。该极性反转层可由镁掺杂的AlxGa1－xN(0≤x＜1)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物基化合物半导体发光器件，包括：极性反转层，其包括具有凸部的表面；和形成在所述极性反转层上的透明电极。
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