[发明专利]Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件

权利要求书

1.一种III族氮化物基化合物半导体发光器件，包括：

极性反转层，其包括具有凸部的表面；和

形成在所述极性反转层上的透明电极。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述极性反转层具有不小于1×10²⁰原子/cm³的镁浓度。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述极性反转层具有不小于2×10²⁰原子/cm³且不大于5×10²¹原子 /cm³的镁浓度。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述极性反转层包括镁掺杂的Al_xGa_1-xN(0≤x＜1)。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述具有凸部的表面通过使用磷酸、氢氧化钾和四甲基氢氧化铵其中 之一的湿蚀刻而形成。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述表面包括约1×10⁷/cm²至约1×10¹⁰/cm²的凸部。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述表面包括约1×10⁸/cm²至约1×10⁹/cm²的凸部。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述表面包括在Ga极性区的凸部和在N极性区的凹部。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

发光层；和

用于提取从所述发光层发出的光的光提取表面，

其中，相对于发光层，所述极性反转层形成得更接近于所述光提取表 面。