[发明专利]静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法有效
| 申请号： | 200810131364.8 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101650975A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈瑞隆;陈伟松;钟毅勋;张家铨 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C11/413;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法。静态随机存取存储器(SRAM)老化筛选方法藉由控制静态随机存取存储器一存储单元的相关控制信号令所述存储单元与相关的一位线与一互补位线组成电流回路，以电流对所述存储单元的金属接点进行老化筛选动作。本发明因而可用来淘汰金属接点接触不良的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 老化 筛选 方法 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器老化筛选方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器的一存储单元包括一闩锁、一第一传输门以及一第二传输门，所述第一与第二传输门由一字符线的信号控制，于启动时分别耦接所述闩锁的一第一端与一第二端至一位线与一互补位线，所述位线与所述互补位线之间包括一等化电路，所述静态随机存取存储器老化筛选方法包括：令所述闩锁的所述第一与第二端分别为一第一状态与一第二状态；启动所述等化电路；以及设定所述字符线的信号以启动所述第一与第二传输门。
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