[发明专利]静态随机存取存储器老化筛选方法与芯片老化筛选方法

说明书

技术领域

本发明是有关于芯片的老化筛选(burn in)方法，特别有关于静态随机存取 存储器(Static Random Access Memory，SRAM)的老化筛选方法。

背景技术

为了确保芯片的使用年限，在出厂前，通常会实行一老化筛选(burn-in) 程序，将有缺陷的芯片筛除。随着芯片工艺技术微缩(如.18μm以下)，芯片 中的金属接线与接触点(contact/via)可能无法准确对齐，因而发生接触不良。 此接触不良状态让芯片极容易在保固期间损坏。因此，本技术领域需要一种 老化筛选方法，得以在贩卖前将金属接点接触不良的芯片筛除。

发明内容

本发明提出数种静态随机存取存储器(SRAM)老化筛选方法与芯片(chip) 老化筛选方法。

SRAM老化筛选方法可应用在不同结构的SRAM上。SRAM包括多个存 储单元；一存储单元对应一字符线、一位线、以及一互补位线。所述字符线 的信号负责控制所述存储单元与所述位线以及所述互补位线的耦接状态。本 发明的SRAM老化筛选方法藉由控制所述存储单元的相关控制信号令所述位 线、所述互补位线以及所述存储单元组成电流回路，以电流对所述存储单元 的金属接点进行老化筛选动作。本发明因而可用来淘汰金属接点接触不良的 产品。

本发明的芯片老化筛选方法根据一芯片的电路规划多条电流路径。所述 等电流路径通过所述芯片上多个金属接点。本发明将高电流导入所述等电流 路径，以淘汰金属接点接触不良的芯片。

为让本发明的所述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举 出多个实施例，并配合所附附图作详细说明。

附图说明

图1图解一种SRAM存储单元的实施方式；

图2以波形图说明本案的一种老化筛选程序；以及

图3以流程图说明本案SRAM老化筛选方法的一种实施方式。

附图标号

102～等化电路；

04～闩锁；

106、108～第一、第二传输门；

BL～位线；

BLB～互补位线；

EQ、EQB～等化电路102的控制信号；

M_n1、M_n2、M_p1、M_p2～晶体管；

t₁、t₂～闩锁104的第一、第二端；

T₁、T₂、T₃～第一、第二、第三阶段；

V_CC～闩锁104的电压源；以及

WL～字符线。

具体实施方式

图1为一静态随机存取存储器(SRAM)的一种实施方式；图中为SRAM的 一存储单元、与相关的字符线WL、位线BL、互补位线BLB、以及均衡器102。 此存储单元包括一闩锁104、一第一传输门106、以及一第二传输门108。闩 锁104由两个触发器(inverter)组成，用以储存数据(如数据‘0’或数据‘1’)。晶体 管M_p1与M_n1组成一个触发器，晶体管M_p2与M_n2组成另一个触发器；此结构 令SRAM不需要如同动态随机存取存储器(DRAM)定期地对所储存的数据进 行更新。闩锁104具有一第一端t₁与一第二端t₂，分别经由第一与第二传输门 106与108耦接位线BL与互补位线BLB。字符线WL的信号负责控制第一与 第二传输门106与108的导通情形。在SRAM正常操作中，均衡器102(由信 号EQ与EQB控制)在「读取」动作前导通，用来短路位线BL与互补位线BLB； 如此一来，在位线负载(bit line load，未显示在图中)的操作下，位线BL与互 补位线BLB一同预充(pre-charge)至高电位。