[发明专利]制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法

摘要

一种制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法，包括：在衬底上形成沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向布置的多个柱状物，其中在每个柱状物上包括硬掩模图案；在柱状物之间的衬底中形成位线区域；在每个柱状物的侧壁上形成第一侧壁绝缘层；形成用于填充柱状物之间间隙的绝缘层；在包括绝缘层的所得结构上形成用于暴露出沿第一方向布置的柱状物的线之间的衬底的掩模图案；利用掩模图案作为蚀刻阻挡来蚀刻绝缘层和衬底以形成用于限定衬底中的位线的沟槽；和在包括沟槽的所得结构上形成第二侧壁绝缘层。

主权项

1. 一种制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向布置的多个柱状物，其中每个所述柱状物包括在该柱状物上的硬掩模图案；在所述柱状物之间的所述衬底中形成位线区域；在每个所述柱状物的侧壁上形成第一侧壁绝缘层；形成用于填充所述柱状物之间间隙的绝缘层；在包括所述绝缘层的所得结构上形成掩模图案，所述掩模图案用于暴露出沿所述第一方向布置的所述柱状物的线之间的所述衬底；利用所述掩模图案作为蚀刻阻挡来蚀刻所述绝缘层和所述衬底，以形成用于限定所述衬底中的位线的沟槽；和在包括所述沟槽的所得结构上形成第二侧壁绝缘层。