[发明专利]制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件中的垂直沟道晶体管的方法，所述方法包括：

在衬底上形成沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向布置的多个柱状物，其中每个所述柱状物包括在该柱状物上的硬掩模图案；

在所述柱状物之间的所述衬底中形成位线区域；

在每个所述柱状物的侧壁上形成第一侧壁绝缘层；

形成用于填充所述柱状物之间间隙的绝缘层；

在包括所述绝缘层的所得结构上形成掩模图案，所述掩模图案用于暴露出沿所述第一方向布置的所述柱状物的线之间的所述衬底；

利用所述掩模图案作为蚀刻阻挡来蚀刻所述绝缘层和所述衬底，以形成用于限定所述衬底中的位线的沟槽；和

在包括所述沟槽的所得结构上形成第二侧壁绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述沟槽之后，移除所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一侧壁绝缘层和所述第二侧壁绝缘层包括氮化物层，并且所述绝缘层包括氧化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在每个所述柱状物的侧壁和所述第一侧壁绝缘层之间插入侧壁氧化物层。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一侧壁绝缘层和所述第二侧壁绝缘层包括氮化物层，并且所述绝缘层包括氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在每个所述柱状物的侧壁和所述第一侧壁绝缘层之间插入侧壁氧化物层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使用自对准接触蚀刻工艺实施所述沟槽的形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使用基于氟化碳的气体实施所述沟槽的形成。

9.根据权利要求2所述的方法，其中使用湿蚀刻工艺或各向同性的干蚀刻工艺实施所述绝缘层的移除。

10.根据权利要求9所述的方法，其中使用氢氟酸溶液或缓冲氧化物蚀刻剂溶液实施所述湿蚀刻工艺。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述绝缘层的移除包括移除在所述沟槽的形成中暴露出的所述侧壁氧化物层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二侧壁绝缘层包括热氮化物层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层的形成包括：

在包括所述柱状物的所得结构上形成所述绝缘层；和

平坦化所述绝缘层直至暴露出所述硬掩模图案。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述柱状物之后，

使每个所述柱状物的下部凹陷至预定宽度；和

在所述凹陷部分中形成包围型栅电极以包围每个所述柱状物的所述下部。

15.根据权利要求1所述的方法，其中通过在所述衬底中掺杂杂质离子来形成所述位线区域。

16.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述沟槽分隔所述位线区域。