[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810131165.7 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101359806A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;佐藤智也;木户口勋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/343;H01S5/22;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，其特征在于，具备共振器构造，所述共振器构造包含依次形成在基板上的第1包层、活性层和第2包层，所述第2包层，具有在取出激光的前端面与作为该前端面相反侧的端面的后端面之间延伸的条形部，所述条形部具有：设于所述前端面侧的第1区域；设于所述后端面侧的第2区域；和设于所述第1区域和所述第2区域之间且条形宽度变化的变化区域，所述变化区域上的所述条形部的内部与外部的有效折射率差，比所述第1区域的所述条形部的内部与外部的有效折射率差更大。
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