[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，

具备共振器构造，所述共振器构造包含依次形成在基板上的第1包层、活性层和第2包层，

所述第2包层，具有在取出激光的前端面与作为该前端面相反侧的端面的后端面之间延伸的条形部，

所述条形部具有：设于所述前端面侧的第1区域；设于所述后端面侧的第2区域；和设于所述第1区域和所述第2区域之间且条形宽度变化的变化区域，

所述条形部是脊条形部，还具备：覆盖所述第1区域中的所述脊条形部的侧壁的第1电流阻挡层和覆盖所述变化区域中的所述脊条形部侧壁的第2电流阻挡层，

所述第1电流阻挡层的折射率比所述第2电流阻挡层的折射率更大，

使所述变化区域上的所述条形部的内部与外部的有效折射率差，比所述第1区域的所述条形部的内部与外部的有效折射率差更大。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1区域包含宽度固定的定宽部分，

所述定宽部分的长度为10μm以上。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述前端面上的反射率，为所述后端面的反射率以下，

所述前端面上的条形宽度，比所述后端面上的条形宽度更宽。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述活性层，是由一般式为(Al_aGa_b)_cIn_1-cP表示的材料组成，

所述第1包层和第2包层，是由一般式为(Al_dGa_e)_fIn_1-fP表示的材料组成，其中，0≤a＜1，0＜b≤1，a+b＝1，0＜c＜1；0＜d＜1，0＜e＜1，d+e＝1，0＜f＜1。

5.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述活性层，是由一般式为Al_aGa_1-aAs表示的材料组成，

所述第1包层和第2包层，是由一般式为(Al_dGa_e)_fIn_1-fP表示的材料组成，其中，0≤a＜1；0＜d＜1，0＜e＜1，d+e＝1，0＜f＜1。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述活性层是量子阱活性层。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述活性层中的、所述前端面附近的区域和所述后端面附近的区域之中的至少一方，由于杂质扩散而被无序化。

8.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1电流阻挡层和所述第2电流阻挡层，由互不相同的电介质材组成。

9.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1电流阻挡层和所述第2电流阻挡层，由相同的电介质材料组成。

10.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1电流阻挡层，由包含SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、CeO₂或Nb₂O₅，或者包含它们中的至少2个的化合物组成，

所述第2电流阻挡层，由包含SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、CeO₂或Nb₂O₅，或者包含它们中的至少2个的化合物组成。

11.一种半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在基板上依次形成第1包层、活性层和第2包层的工序a；

通过蚀刻所述第2包层，形成具有条形宽度变化的变化区域的条形部的工序b；和

形成第1电流阻挡层以覆盖除所述变化区域之外的区域，并且，形成第2电流阻挡层以覆盖所述变化区域的工序c，

在所述工序c中，形成所述第1电流阻挡层和所述第2电流阻挡层，所述第1电流阻挡层的折射率比所述第2电流阻挡层的折射率更大，使所述变化区域上的所述条形部的内部与外部的有效折射率差，比除所述变化区域之外的区域上的所述条形部的内部与外部的有效折射率差更大。