[发明专利]多层陶瓷电容器及其形成方法有效
| 申请号： | 200810131008.6 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101656152A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 裴修祥;吴旻修 | 申请（专利权）人： | 达方电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/228;H01G4/252;H01B1/16;H01B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其形成方法。该多层陶瓷电容器包含电容陶瓷体、中介连接层以及导电层，电容陶瓷体包含多层介电陶瓷层以及沿着介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极，中介连接层形成于电容陶瓷体外，并与部分的内部电极电性连接，导电层覆盖中介连接层，其中，中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，导电层的导电材料为聚合物型银胶。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层陶瓷电容器，包括：电容陶瓷体，包含多层介电陶瓷层以及沿着这些介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极；中介连接层，形成于该电容陶瓷体外，并与部分的这些内部电极电性连接；以及导电层，覆盖该中介连接层，其中，该中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，且该导电层的导电材料为聚合物型银胶。
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