[发明专利]多层陶瓷电容器及其形成方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

电容陶瓷体，包含多层介电陶瓷层以及沿着这些介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极；

中介连接层，形成于该电容陶瓷体外，并与部分的这些内部电极电性连接；以及

导电层，覆盖该中介连接层，

其中，该中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，且该导电层的导电材料为聚合物型银胶，

其中该中介连接层的材料包括重量百分比70％～95％的该金属及重量百分比5％～30％的该玻璃助烧剂，

其中该金属包含重量百分比5％～100％的金属镍及重量百分比95％～0％的金属铜，且

其中该玻璃助烧剂选自Ma₂O、MbO、Mc₂O₃及MdO₂所组成的群组，其中元素Ma选自锂、钠及钾所组成的群组，元素Mb选自铍、镁、钙、锶、钡及锌所组成的群组，元素Mc选自硼、铝及镓所组成的群组，且元素Md选自硅及锗所组成的群组。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中该中介连接层的厚度为介于10～100μm。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中该玻璃助烧剂中，Ma₂O的含量在30wt％以下，MbO的含量在30wt％以下，Mc₂O₃的含量在30wt％以下，且MdO₂的含量在50wt％以上。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中还包含保护层，该保护层覆盖于该导电层外，用以保护该中介连接层及该导电层。

5.如权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中该保护层为镍金属层。

6.如权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中还包含焊接层，该焊接层覆盖于该保护层外，以供焊接接合使用。

7.如权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中该焊接层为锡金属层。

8.一种多层陶瓷电容器的形成方法，包括：

提供电容陶瓷体，包含多层介电陶瓷层以及沿着这些介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极；

形成中介连接层于该电容陶瓷体外，并电性连接于部分的这些内部电极；以及

覆盖导电层于该中介连接层，

其中，该中介连接层的材料包括金属及玻璃助烧剂，该导电层的导电材料为聚合物型银胶，

其中该中介连接层的材料包括重量百分比70％～95％的金属及重量百分比5％～30％的玻璃助烧剂，

其中该金属成分包含重量百分比5％～100％的金属镍及重量百分比95％～0％的金属铜，且

其中该玻璃助烧剂选自Ma₂O、MbO、Mc₂O₃及MdO₂所组成的群组，其中元素Ma选自锂、钠及钾所组成的群组，元素Mb选自铍、镁、钙、锶、钡及锌所组成的群组，元素Mc选自硼、铝及镓所组成的群组，且元素Md选自硅及锗所组成的群组。

9.如权利要求8所述的形成方法，其中形成该中介连接层于该电容陶瓷体外的步骤还包括：沾附含有该金属及该玻璃助烧剂的导电材料于该电容陶瓷体；以及烧附固化该含有镍金属的导电材料以形成该中介连接层。

10.如权利要求9所述的形成方法，其中该沾附步骤后，还包含烘烤步骤，该烘烤步骤的温度条件为介于60～200℃，烘烤时间为10～60分钟。

11.如权利要求9所述的形成方法，其中该烧附固化步骤的温度条件为介于600～1000℃，烧附固化时间为5～30分钟。

12.如权利要求8所述的形成方法，其中覆盖该导电层的步骤包括：沾附含有聚合物型银胶的导电材料；以及烧附固化该含有聚合物型银胶的导电材料，以覆盖该导电层于该中介连接层。

13.如权利要求12所述的形成方法，其中该沾附步骤后，还包含烘烤步骤，该烘烤步骤的温度条件为介于60～200℃，烘烤时间为10～60分钟。

14.如权利要求12所述的形成方法，其中该烧附固化的步骤以实质上低于300℃的温度进行，烧附固化时间为5～60分钟。

15.如权利要求8所述的形成方法，其中还可包含形成保护层于该导电层的表面。