[发明专利]压电元件及使用了该压电元件的液体喷出装置有效

专利信息
申请号: 200810130877.7 申请日: 2008-08-21
公开(公告)号: CN101373810A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 藤井隆满;直野崇幸 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/09;H01L41/18;B41J2/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种压电元件,其通过使用等离子体的气相成长法在基板上经由电极将压电膜进行成膜。压电膜为一种或多种钙钛矿型氧化物(也可以含有不可避免的杂质),由向相对于基板面为非平行方向延伸的多个柱状结晶体构成的柱状构造膜构成。在柱状构造膜的表面被观测的多个柱状结晶体的端面的最小的外接圆的直径具有横跨100nm以下500nm以上分布的大小,且外接圆的直径为含有100nm以下的直径20%以上、500nm以上的直径5%以上的直径,柱状构造膜的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以下。
搜索关键词: 压电 元件 使用 液体 喷出 装置
【主权项】:
1.一种压电元件,通过使用等离子体的气相成长法在基板上经由电极而将压电膜成膜,其特征在于,所述压电膜由柱状构造膜构成,该柱状构造膜为由下述通式表示的一种或多种钙钛矿型氧化物,且也可以含有不可避免的杂质,并且由向相对于所述基板面在非平行方向延伸的多个柱状结晶体构成,在该柱状构造膜的表面被观测的所述多个柱状结晶体的端面具有端面的最小的外接圆的直径横跨100nm以下500nm以上分布的大小,且外接圆的直径含有100nm以下的直径为20%以上、含有500nm以上的直径为5%以上,所述柱状构造膜的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以下,所述通式为:Pb(Tix、Zry、Mz)O3,在上述式中,M为选自Sn、Nb、Ta、Mo、W、Ir、Os、Pd、Pt、Re、Mn、Co、Ni、V、及Fe构成的组中的至少一种金属元素,且0
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