[发明专利]压电元件及使用了该压电元件的液体喷出装置

权利要求书

1.一种压电元件，通过使用等离子体的气相成长法在基板上经由电 极而将压电膜成膜，其特征在于，

所述压电膜由柱状构造膜构成，该柱状构造膜为由下述通式表示的一 种或多种钙钛矿型氧化物，并且由向相对于所述基板面在非平行方向延伸 的多个柱状结晶体构成，

在该柱状构造膜的表面被观测的所述多个柱状结晶体的端面中，端面 的外接圆的直径为100nm以下的柱状结晶体为20％以上、端面的外接圆 的直径为500nm以上的柱状结晶体为5％以上，

所述柱状构造膜的算术平均表面粗糙度Ra为10nm以下，

所述通式为：Pb(Ti_X、Zr_Y、M_z)O₃，

在上述式中，M为选自Sn、Nb、Ta、Mo、W、Ir、O_s、Pd、Pt、Re、 Mn、Co、Ni、V、及Fe构成的组中的至少一种金属元素，且0＜x＜1，0 ＜y＜1，0≤z＜1，x+y+z＝1。

2.如权利要求1所述的压电元件，其特征在于，

所述气相成长法在成膜温度为400℃以上且不足550℃的条件下进行 成膜。

3.如权利要求1或2所述的压电元件，其特征在于，

所述气相成长法在成膜时的等离子体中的等离子体电位Vs(V)和漂 移电位Vf(V)之差即Vs-Vf(V)为10eV以上30eV以下的条件下成 膜。

4.如权利要求1或2所述的压电元件，其特征在于，

所述气相成长法为溅射法、离子喷镀法、及等离子体CVD法中的任 一方法。

5.如权利要求1或2所述的压电元件，其特征在于，

所述柱状构造膜的膜厚为1μm以上。

6.一种液体喷出装置，其特征在于，具备：

权利要求1或2所述的压电元件；

一体地或单独地设置于该压电元件的所述基板上的液体喷出部件，

该液体喷出部件具有：贮存液体的液体贮存室、和从该液体贮存室向 外部喷出所述液体的液体喷出口。