[发明专利]通过一次成形和/或涂覆制备膜状半导体材料和/或电子元件的方法无效
| 申请号： | 200810130635.8 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101335194A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | M·特罗查;G·－J·施米茨;D·弗兰克;T·巴尔;R·蒂弗斯;S·雷克斯;M·阿佩尔 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;B81C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及通过一次成形和/或涂覆制备膜状半导体材料和/或电子元件的方法。该方法的特征是在待涂覆的衬底上或者在一次成形法中使用的模具的表面上涂覆由纳米级体系内在物质构成的胶料。所述胶料能够使膜状半导体材料在一次成形或涂覆过程之后更简单地从衬底上解除，减少与衬底或模具材料的反应并因此减少了半导体材料的污染，减少从半导体材料向衬底的热传递，对半导体材料的精细结构可能具有有利影响，特别是其中值粒径。在本发明有利的实施方案中，所用的胶料不仅与更好地从衬底解除并减少半导体材料的污染有关，而且此外能够以有目的的方式用于产生半导体材料中的掺杂剂图案。为了此目的，以限定的图案向衬底上施加至少两种具有不同掺杂剂含量的胶料。在一次成形和/或涂覆过程中通过扩散到半导体材料中转变这些掺杂剂图案。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 一次 成形 制备 半导体材料 电子元件 方法 | ||
【主权项】：
1.通过一次成形和/或涂覆工艺制备膜状半导体材料或电子元件的方法，特征在于在涂覆和/或一次成形之前，在一次成形法中使用的模具上或在涂覆法中使用的衬底上至少部分地施加至少一种体系内在的纳米级胶料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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