[发明专利]通过一次成形和/或涂覆制备膜状半导体材料和/或电子元件的方法

权利要求书

1.通过一次成形和/或涂覆工艺制备膜状半导体材料或电子元件的方法，特征在于在涂覆和/或一次成形之前，在一次成形法中使用的模具上或在涂覆法中使用的衬底上至少部分地施加至少一种体系内在的纳米级胶料。

2.根据权利要求1的方法，

特征在于，

使用具有在分散剂中的至少一种纳米级体系内在粉末的至少一种分散体的胶料。

3.根据权利要求2的方法，

特征在于，

使用含具有4到900nm直径d_50％的颗粒的粉末。

4.根据权利要求1到3中至少一项的方法，

特征在于，

使用具有至少一种掺杂剂的胶料。

5.根据权利要求1到4中至少一项的方法，

特征在于，

使用具有选自第3或第5主族的掺杂剂的胶料。

6.根据权利要求2的方法，

特征在于，

使用有机分散剂。

7.根据权利要求6的方法，

特征在于，

使用选自醇、丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基烷基化物或者这些分散剂的混合物的有机分散剂。

8.根据权利要求1到7中至少一项的方法，

特征在于，

通过刮涂、涂抹、刷涂、喷涂、吹涂、印刷，借助于丝网印刷施加、用掩膜喷涂，或者通过浸渍模具或衬底向模具或衬底施加胶料。

9.根据权利要求1到8中至少一项的方法，

特征在于，

在模具或衬底的表面上施加至少两种具有不同掺杂剂或掺杂剂比例的纳米级体系内在胶料。

10.根据权利要求1到9的方法，

特征在于，

通过丝网印刷、印刷、浇注、热喷涂或等离子喷涂施加在涂覆和/或一次成形期间所用的一种或多种原料。

11.根据权利要求10的方法，

特征在于，

以限定的二维或三维图案施加一种或多种原料。

12.根据权利要求1～11中至少一项的方法，

特征在于，

熔融或烧结一种或多种原料。

13.根据权利要求12的方法，

特征在于，

在超过未配备胶料的模具和/或衬底的熔点最多200℃温度下，在0.01到60s的持续时间内熔融或烧结一种或多种原料。

14.根据权利要求1～13中至少一项的方法，

特征在于，

多次施加一种或多种原料。

15.根据权利要求14的方法，

特征在于，

在每次施加之后熔融或烧结一种或多种原料。

16.根据权利要求1到15中至少一项的方法，

特征在于，

施加在选自粒径、掺杂剂含量、化学组成、颗粒形态的至少一种性能或者多种所述性能方面有区别的不同原料。

17.根据权利要求1到16中至少一项的方法，

特征在于，

在一次成形或涂覆工艺之后从模具或衬底上解除半导体材料。

18.根据权利要求17的方法，

特征在于，

通过剥离、卷起、撕开或在塑料制成的转换膜的协助下从模具或衬底上解除半导体材料。

19.膜状半导体材料，由根据权利要求1到18中至少一项的方法获得。

20.膜状半导体材料，

特征在于，

所述半导体材料具有在与模具和/或衬底相接触的面上或内部熔融的体系内在纳米级胶料颗粒。

21.根据权利要求19或20的膜状半导体材料，具有10到500μm的厚度。

22.根据权利要求19到21至少一项的膜状半导体材料，具有10nm到300μm的晶体长度。

23.根据权利要求19到22至少一项的膜状半导体材料，包含至少一种电子元件。

24.电子组件，包含根据权利要求19到23至少一项的膜状半导体材料。