[发明专利]栈式1T-n存储单元结构有效
| 申请号： | 200810130131.6 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101393888A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | H·内亚德;M·西耶迪 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8247;H01L21/84;H01L21/768;H01L27/02;H01L27/22;H01L27/24;H01L27/115;H01L27/12;H01L23/522;G11C7/06;G11C11/16;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T-1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T-1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 栈式 存储 单元 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种制造存储装置的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成访问晶体管，所述访问晶体管具有第一和第二有效面积；提供与在所述第一有效面积上的所述访问晶体管电接触的位线；提供与在所述第二有效面积上的所述访问晶体管电接触的互连；在所述访问晶体管上形成第一存储位；形成与所述第一存储位相关联的第一读出线，所述第一存储位与所述互连电接触；在所述存储位上形成第二存储位；并且形成与所述第二存储位相关联的第二读出线，所述第二存储位与所述互连电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
