[发明专利]栈式1T-n存储单元结构

权利要求书

1.一种制造存储装置的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成访问晶体管，所述访问晶体管具有第一和第二 主动区；

提供与在所述第一主动区上的所述访问晶体管电接触的位线；

提供与在所述第二主动区上的所述访问晶体管电接触的互连， 其中将所述互连定向为与所述衬底垂直；和

在相对于所述衬底垂直的布置中形成多个可变电阻存储单元，其 中在所述垂直的布置中，所述多个可变电阻存储单元被设置成一个在 另一个之上，将在所述垂直的布置中的所述多个可变电阻存储单元的 每一个可变电阻存储单元限定在各自读出线和各自公用线的各自交叉 点上，其中每一个所述各自读出线与单个各自的所述可变电阻存储单 元相关联并与所述互连电通信，其中形成每个所述多个可变电阻存储 单元的各自动作包括：

形成所述各自读出线之一；

在所述各自读出线上形成存储器区域；并且

在所述存储器区域上提供各自公用线。

2.如权利要求1所述的方法，其中与所述各自读出线垂直形成所 述各自公用线。

3.如权利要求1所述的方法，其中与各自只写线垂直形成所述各 自公用线。

4.如权利要求1所述的方法，还包括提供与所述位线电接触的读 出放大器。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述的形成所述访问晶体管包 括：

形成源极和漏极区域以及在所述源极和漏极区域之间的栅极结 构；并且

向所述源极和漏极区域提供导电插头，所述位线与一个所述导电 插头电接触，而所述互连与另一个所述导电插头电接触。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：

其中所述多个可变电阻存储单元包括至少三个存储单元。