[发明专利]包含非易失性存储单元的集成电路及其制备方法无效
| 申请号： | 200810129045.3 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101414640A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 董忠;陈计良;陈兴华 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 新加坡新加坡邮区6088*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种包含非易失性存储单元的集成电路及其制备方法。该集成电路包含：半导体区，提供电荷以改变该非易失性存储单元的状态；电荷捕获介电层，捕获及储存电荷以定义该非易失性存储单元的状态；隧穿介电层，隔离该半导体区及该电荷捕获介电层；以及浮置栅极，储存电荷以定义该非易失性存储单元的状态，该浮置栅极的厚度至多为20纳米，该半导体区与该浮置栅极被该电荷捕获介电层及该隧穿介电层予以隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 非易失性 存储 单元 集成电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种包含非易失性存储单元的集成电路，包含：半导体区，提供电荷以改变该非易失性存储单元的状态；电荷捕获介电层，捕获及储存电荷以定义该非易失性存储单元的状态；隧穿介电层，隔离该半导体区及该电荷捕获介电层；以及浮置栅极，储存电荷以定义该非易失性存储单元的状态，该浮置栅极的厚度至多为20纳米，该半导体区与该浮置栅极被该电荷捕获介电层及该隧穿介电层予以隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂德科技股份有限公司（新加坡子公司），未经茂德科技股份有限公司（新加坡子公司）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810129045.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内燃机的控制设备和控制系统
- 下一篇：电动机械变速器控制系统
- 同类专利
- 专利分类
