[发明专利]固体摄像装置及其制造方法无效
申请号: | 200810128506.5 | 申请日: | 2008-06-19 |
公开(公告)号: | CN101330090A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 栗山俊宽 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于得到一种固体摄像装置及其制造方法,灵敏度高、且可对应于多像素化用的像素的细微化,且可高速动作。该固体摄像装置包括多个光电转换部,在基板上按行列状进行配置;垂直传送沟道,配置在所述光电转换部的垂直列间部分;多个垂直传送电极,将所述光电转换部的电荷传送给所述垂直传送沟道;遮光膜,在所述垂直传送电极上隔着第一绝缘膜层积并具有规定了所述光电转换部的受光部的多个窗部;以及分流布线,配置在与所述垂直传送沟道重合的区域,通过第二绝缘膜与所述遮光膜绝缘;从所述分流布线供给对应于所述垂直传送电极的各驱动相位的驱动脉冲。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固体摄像装置,其特征在于,包括:多个光电转换部,在基板上按行列状进行配置;垂直传送沟道,配置在所述光电转换部的垂直列间部分;多个垂直传送电极,将所述光电转换部的电荷传送给所述垂直传送沟道;遮光膜,在所述垂直传送电极上隔着第一绝缘膜层积并具有规定了所述光电转换部的受光部的多个窗部;以及分流布线,配置在与所述垂直传送沟道重合的区域,通过第二绝缘膜与所述遮光膜绝缘;从所述分流布线供给对应于所述垂直传送电极的各驱动相位的驱动脉冲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的