[发明专利]固体摄像装置及其制造方法无效
申请号: | 200810128506.5 | 申请日: | 2008-06-19 |
公开(公告)号: | CN101330090A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 栗山俊宽 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
1、一种固体摄像装置,其特征在于,包括:
多个光电转换部,在基板上按行列状进行配置;
垂直传送沟道,配置在所述光电转换部的垂直列间部分;
多个垂直传送电极,将所述光电转换部的电荷传送给所述垂直传送沟道;
遮光膜,在所述垂直传送电极上隔着第一绝缘膜层积并具有规定了所述光电转换部的受光部的多个窗部;以及
分流布线,配置在与所述垂直传送沟道重合的区域,通过第二绝缘膜与所述遮光膜绝缘;
从所述分流布线供给对应于所述垂直传送电极的各驱动相位的驱动脉冲。
2、根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述垂直传送电极与水平行方向排列的多个所述光电转换部连接;
所述分流布线和所述垂直传送电极,通过与所述分流布线一体并沿其厚度方向延伸的脚部进行连接。
3、根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述遮光膜还形成在除所述脚部贯通的连接部开口之外的与所述分流布线重合的区域。
4、根据权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述连接部开口是圆形、椭圆形、矩形中的某一个形状。
5、根据权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述脚部位于所述连接部开口的中央。
6、根据权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述遮光膜的所述连接部开口的侧面形成侧壁。
7、根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述遮光膜通过在与所述垂直传送沟道重合的区域上形成的缝隙部,按每个所述光电转换部的垂直列被分割,使沿所述分流布线的配置方向连续形成的所述脚部进入到所述缝隙部内。
8、根据权利要求7所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述遮光膜的所述缝隙部的长边方向侧面形成侧壁。
9、根据权利要求7所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述缝隙部的底面部、且在所述分流布线和所述垂直传送电极之间的连接部分之外的区域,具有在所述垂直传送电极上层积的阻截层。
10、根据权利要求9所述的固体摄像装置,其特征在于:
在所述受光部上形成由与所述阻截层相同的材料构成的防反射膜。
11、根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述垂直传送电极是单层结构。
12、一种固体摄像装置的制造方法,该固体摄像装置包括:多个光电转换部,在基板上按行列状进行配置;垂直传送沟道,配置在所述光电转换部的垂直列间部分;垂直传送电极,与水平方向排列的多个所述光电转换部连接;遮光膜,在所述垂直传送电极上隔着第一绝缘膜层积并具有规定了所述光电转换部的受光部的多个窗部;以及分流布线,配置在与所述垂直传送沟道重合的区域上,通过第二绝缘膜与所述遮光膜绝缘,
其特征在于,该方法包括下列工序:
在形成所述第二绝缘膜后,蚀刻所述第二绝缘膜、所述遮光膜、所述第一绝缘膜而在与所述垂直传送沟道重合的区域上形成规定形状的开口部的工序;
形成第三绝缘膜,并对所述第三绝缘膜实施各向异性蚀刻而在所述开口部上形成侧壁的工序;以及
将所述分流布线与沿其厚度方向延伸的脚部一起形成,并通过所述脚部连接所述分流布线和所述垂直传送电极的工序。
13、根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于:
所述开口部是圆形、椭圆形、矩形中的某一个形状。
14、根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于:
所述开口部是在所述垂直传送沟道的形成方向上延伸的缝隙形状。
15、根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法,其特征在于:
所述第一绝缘膜是在硅氧化膜上层积了硅氮化膜后的多层膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的