[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200810128327.1 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101304047A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐源竣;石靖节;林昆志 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，其包括基板、缓冲层、图案化多晶硅层、栅极介电层以及多个栅极。图案化多晶硅层配置在缓冲层与基板上，图案化多晶硅层具有多个信道区、至少一重掺杂区、二轻掺杂区、一源极区与一漏极区，其中重掺杂区连接于二相邻的信道区之间，源极区通过其中一轻掺杂区与一最外侧的信道区连接，且漏极区通过另一轻掺杂区与另一最外侧的信道区连接。栅极介电层覆盖图案化多晶硅层。多个栅极配置在栅极介电层上，其中这些栅极彼此电性连接，且各栅极位于其中一信道区与部分重掺杂区上方。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：一基板；一图案化多晶硅层，配置在该基板上，该图案化多晶硅层具有多个信道区、至少一重掺杂区、二轻掺杂区、一源极区与一漏极区，其中该重掺杂区连接于二相邻的信道区之间，该源极区通过其中一轻掺杂区与一最外侧的信道区连接，且该漏极区通过另一轻掺杂区与另一最外侧的信道区连接；一栅极介电层，覆盖该图案化多晶硅层；以及多个栅极，配置在该栅极介电层上，其中该些栅极彼此电性连接，各该栅极位于其中一信道区与部分重掺杂区上方。
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