[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一图案化多晶硅层，配置在该基板上，该图案化多晶硅层具有多个信 道区、至少一重掺杂区、二轻掺杂区、一源极区与一漏极区，其中该重掺杂 区连接于二相邻的信道区之间，该源极区通过其中一轻掺杂区与一最外侧的 信道区连接，且该漏极区通过另一轻掺杂区与另一最外侧的信道区连接；

一栅极介电层，覆盖该图案化多晶硅层；以及

多个栅极，配置在该栅极介电层上，其中该些栅极彼此电性连接，各 该栅极位于其中一信道区与部分重掺杂区上方，该栅极自该信道区上方延伸 至部分重掺杂区上方，其中该些栅极不与该轻掺杂区重叠；

其中，该重掺杂区与该信道区之间不具有轻掺杂区；

该源极区、该重掺杂区与该漏极区的掺杂浓度彼此相当。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该信道区的数量 为N个，该重掺杂区的数量为(N-1)个，N为大于或等于2的整数。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，另包括一缓冲层， 其中该缓冲层配置在该基板上，且该图案化多晶硅层配置在该缓冲层上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，另包括一保护层， 覆盖在该栅极介电层与该些栅极上。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，另包括：

一源极，配置在该保护层上；以及

一漏极，配置在该保护层上，其中该保护层具有一源极接触开口与一 漏极接触开口，该源极通过该源极接触开口与该源极区电性连接，且该漏极 通过该漏极接触开口与该漏极区电性连接。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该源极区、 该些轻掺杂区、该些信道区、该重掺杂区与该漏极区沿着一直线轨迹排列。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各该栅极的延伸 方向彼此平行。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极区、该些 轻掺杂区、该些信道区、该重掺杂区与该漏极区沿着一L形轨迹排列。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各该栅极的延伸 方向彼此垂直。

10.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一图案化多晶硅层，配置在该基板上，具有一源极区、单一个第一轻 掺杂区、多个信道区、多个重掺杂区、单一个第二轻掺杂区、与一漏极区， 其中该些重掺杂区与该些信道区彼此交替排列；以及

多个栅极，配置在该基板上，且各别对应于该些信道区设置，其中该源 极区通过该第一轻掺杂区与一最外侧的信道区连接，该漏极区则通过该第二 轻掺杂区与另一最外侧的信道区连接；其中，该些栅极与该些重掺杂区部分 重叠，该栅极自该信道区上方延伸至部分重掺杂区上方，其中该些栅极不与 该轻掺杂区重叠；

其中，该重掺杂区与该信道区之间不具有轻掺杂区；

该源极区、该重掺杂区与该漏极区的掺杂浓度彼此相当。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，该些栅极彼此 电性连接。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，另包括一源极与一漏极，该 源极与该源极区电性连接，且该漏极与该漏极区电性连接。

13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，在该源极区、 该第一轻掺杂区、该重掺杂区、该第二轻掺杂区或该漏极区中，掺杂有N型 掺质或P型掺质。

14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极区、该 重掺杂区或该漏极区的掺杂浓度范围为2.0×10¹⁹atom/cm³至 2.0×10²¹atom/cm³。