[发明专利]等离子体处理设备有效
申请号: | 200810127555.7 | 申请日: | 2008-06-27 |
公开(公告)号: | CN101552183A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 金圣烈 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;H01J37/32;H05H1/24 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 韩国京畿道龙*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明是有关于一种等离子体处理设备,其包含腔室、下电极、上电极以及衬底传感器。所述腔室经配置以提供反应空间。所述下电极设置在所述腔室中的下部区域处,以供在下电极上安装衬底。所述上电极设置在所述腔室中的上部区域处,并与所述下电极相对。所述衬底传感器提供于所述腔室上以感测所述衬底。在本申请中,所述上电极包含电极板和附接在所述电极板底部上的绝缘板,且至少一个导孔形成于所述上电极中,以引导从所述衬底传感器输出的光朝向所述衬底。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理设备,其特征在于其包括:腔室,其经配置以提供反应空间;下电极,衬底被搁置于其上,所述下电极设置在所述腔室的下部区域处;上电极,其面向所述下电极,且设置在所述腔室的上部区域处;以及衬底传感器,其被提供在所述腔室的所述上部区域中,以感测所述衬底,其中所述的上电极包含电极板和附接在所述电极板的底部上的绝缘板,且至少一个导孔被形成在所述上电极中,以引导从所述衬底传感器输出的光朝向所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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