[发明专利]等离子体处理设备

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，其特征在于其包括：

腔室，其经配置以提供反应空间；

下电极，衬底被搁置于其上，所述下电极设置在所述腔室的下部区域处；

上电极，其面向所述下电极，且设置在所述腔室的上部区域处；以及

衬底传感器，其被提供在所述腔室的所述上部区域中，以感测所述衬底，

其中所述的上电极包含电极板和附接在所述电极板的底部上的绝缘板，且至少一个导孔被形成在所述上电极中，以引导从所述衬底传感器输出的光朝向所述衬底，

其中所述的下电极包括多个电极，

其中所述的多个电极属于两个组中的一者，所述组的每一者接收射频电压和接地电压中的其中之一，且在逐组基础上向上和向下移动。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的电极板包括沿边缘向下突出的侧壁，且所述绝缘板被提供于由所述侧壁界定的内部空间中。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的导孔被形成为垂直穿透所述侧壁、垂直穿透所述侧壁与所述绝缘板之间的空间或垂直穿透所述电极板和所述绝缘板。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的导孔包括上部入口和下部出口，且上部入口和下部出口的直径大于所述导孔的内径。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的衬底传感器和所述导孔被提供在对应于所述衬底的边缘的垂直线上。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的多个电极是同心的，且彼此间隔开预定距离。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的射频电压被控制在400KHz到100MHz的范围内。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的射频电压具有双频率。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的下电极的直径大于所述衬底的直径。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于其还包括：

下升降器，其与所述下电极耦合，以提起/放下所述下电极；以及

上升降器，其与所述上电极耦合，以提起/放下所述上电极。

11.一种等离子体处理设备，其特征在于其包括：

腔室；

绝缘板，其被提供于所述腔室的上部区域中；

接地电极，其被提供于所述腔室的侧壁上，且被供应接地电压；以及

下电极，其被提供于所述腔室中的下部区域中，衬底被搁置在所述下电极上，

衬底传感器，其被提供于所述腔室上以感测所述衬底，

其中所述下电极包括多个电极，且射频电压和所述接地电压被分别交替地供应到邻近的两个电极，以及

其中至少一个导孔被形成于所述绝缘板中，以引导从所述衬底传感器输出的光朝向所述衬底。

12.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的射频电压供应到的所述电极是固定的，且其它电极被驱动以向上和向下移动。

13.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的接地电压供应到的所述电极是固定的，且其它电极被驱动以向上和向下移动。

14.根据权利要求11所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的下电极中的电极是同心的，且彼此隔开预定距离。

15.根据权利要求14所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的下电极中的电极包括从所述衬底的中心向外围排列的第一、第二和第三电极，所述第一电极的直径为所述第三电极的直径的35％到55％，且所述第二电极的直径为所述第三电极的直径的56％到75％。

16.根据权利要求14所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的下电极中的电极，包括从所述衬底的中心向外围排列的第一、第二、第三和第四电极，所述第一电极的直径为所述第四电极的直径的35％到45％，所述第二电极的直径为所述第四电极的直径的46％到60％，且所述第三电极的直径为所述第四电极的直径的61％到75％。

17.根据权利要求14所述的等离子体处理设备，其特征在于其中所述的下电极中的电极包括从衬底的中心向外围排列的第一、第二、第三、第四和第五电极，所述第一电极的直径为所述第五电极的直径的30％到40％，所述第二电极的直径为所述第五电极的直径的41％到50％，所述第三电极的直径为所述第五电极的直径的51％到60％，且所述第四电极的直径为所述第五电极的直径的61％到75％。