[发明专利]SOI基板的制造方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。

主权项

1.一种SOI基板的制造方法，其特征在于，包括：对半导体基板的一个表面照射离子而在所述半导体基板的离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述半导体基板的所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；进行热处理，以便在所述半导体基板和所述支撑基板夹着所述绝缘层重叠的状态下使所述脆化层中产生裂缝，并且以便在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；以及在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理。