[发明专利]SOI基板的制造方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

对半导体基板的一个表面照射离子而在所述半导体基板的离所述一个 表面有一定深度的区域中形成脆化层；

在所述半导体基板的所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；

进行热处理，以便在所述半导体基板和所述支撑基板夹着所述绝缘层 重叠的状态下使所述脆化层中产生裂缝，并且以便在所述脆化层中分离所 述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成所述半导体层；

对所述半导体层表面进行第一研磨处理；

对受到所述第一研磨处理的所述半导体层照射电磁波；以及

在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行第二研磨处理。

2.一种绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在半导体基板的一个表面上形成绝缘层；

隔着形成在所述半导体基板的所述一个表面上的所述绝缘层对所述半 导体基板照射离子而在所述半导体基板的离所述一个表面有一定深度的区 域中形成脆化层；

进行热处理，以便在所述半导体基板和支撑基板夹着所述绝缘层重叠 的状态下使所述脆化层中产生裂缝，并且以便在所述脆化层中分离所述半 导体基板，从而在所述支撑基板上形成所述半导体层；

对所述半导体层表面进行第一研磨处理；

对受到所述第一研磨处理的所述半导体层照射电磁波；以及

在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行第二研磨处理。

3.如权利要求1或2所述的绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于， 所述第一研磨处理和所述第二研磨处理通过化学机械研磨法进行。

4.一种绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

对半导体基板的一个表面照射离子而在所述半导体基板的离所述一个 表面有一定深度的区域中形成脆化层；

在所述半导体基板的所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；

进行热处理，以便在所述半导体基板和所述支撑基板夹着所述绝缘层 重叠的状态下使所述脆化层中产生裂缝，并且以便在所述脆化层中分离所 述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成所述半导体层；

对所述半导体层表面进行蚀刻处理；

对受到所述蚀刻处理的所述半导体层照射电磁波；以及

在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理。

5.一种绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在半导体基板的一个表面上形成绝缘层；

隔着形成在所述半导体基板的所述一个表面上的所述绝缘层对所述半 导体基板照射离子而在所述半导体基板的离所述一个表面有一定深度的区 域中形成脆化层；

进行热处理，以便在所述半导体基板和支撑基板夹着所述绝缘层重叠 的状态下使所述脆化层中产生裂缝，并且以便在所述脆化层中分离所述半 导体基板，从而在所述支撑基板上形成所述半导体层；

对所述半导体层表面进行蚀刻处理；

对受到所述蚀刻处理的所述半导体层照射电磁波；以及

在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理。

6.如权利要求4或5所述的绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于， 所述研磨处理通过化学机械研磨法进行。

7.如权利要求1或4所述的绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于， 在所述半导体基板的所述一个表面上形成保护层，隔着形成在所述半导体 基板的所述一个表面上的所述保护层对所述半导体基板照射离子，并且在 所述半导体基板的离所述一个表面有一定深度的区域中形成所述脆化层。

8.如权利要求7所述的绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于，所 述保护层具有选自氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层以及氧氮化硅层的单 层结构或多层的叠层结构。

9.如权利要求2或5所述的绝缘体上硅基板的制造方法，其特征在于， 在所述半导体基板的所述一个表面上形成保护层，并且在所述保护层上形 成所述绝缘层。