[发明专利]薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 200810126719.4 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101609858A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜沉积方法，包括：在反应室中平行放置作为阳极的第一电极板和作为阴极的第二电极板，所述第二电极板面向所述第一电极板的表面具有牺牲层；在所述第一电极板面向所述牺牲层的表面放置基板；通入刻蚀气体；将所述第一电极板接地，向第二电极板施加直流负电压，将所述刻蚀气体电离为等离子体刻蚀所述牺牲层，在所述基板表面沉积薄膜。本发明的薄膜的沉积方法能够改善薄膜的性能特别是稳定性以及大面积沉积薄膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜沉积方法，包括：在反应室中平行放置作为阳极的第一电极板和作为阴极的第二电极板，在所述第二电极板面向所述第一电极板的表面具有牺牲层；在所述第一电极板面向所述牺牲层的表面放置基板；通入刻蚀气体；将所述第一电极板接地，向第二电极板施加直流电压，将所述刻蚀气体电离为等离子体对所述牺牲层进行刻蚀，在所述基板表面沉积薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
