[发明专利]薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积方法，包括：

在反应室中平行放置作为阳极的第一电极板和作为阴极的第二电极板，在所述第二电极板面向所述第一电极板的表面具有牺牲层；

在所述第一电极板面向所述牺牲层的表面放置基板；

通入刻蚀气体；

将所述第一电极板接地，向第二电极板施加直流电压，将所述刻蚀气体电离为等离子体对所述牺牲层进行刻蚀，被刻蚀而剥离的牺牲层物质向阳极方向扩散移动，沉积在所述基板表面而形成薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述直流电压值为-150伏～-1000伏。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述第一电极板和第二电极板之间还放置网状第三电极板，在施加所述直流电压的同时，所述第一电极板和/或第二电极板和/或第三电极板上施加一个或多个交变电场。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述交变电场由包括低频、射频(RF)、极高频(VHF)的电源提供。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀气体包括氢气H₂。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述刻蚀气体中含有与牺牲层物质成分相同的元素，且当牺牲层厚度为零时，所述基板表面不发生薄膜沉积。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述刻蚀气体中氢气的浓度大于50％，其余气体中至少有一种气体含有卤族元素，包括氟气F₂，SiF₄、SiH₂Cl₂、HF、HCl、Cl₂、BF₃、NF₃、SF₆中的一种或多种，以及惰性气体中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一电极板和所述第二电极板之间的距离为1厘米～10厘米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述反应室内部的气体压力为1mbar～10mbar，基板的温度维持在100℃～260℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述牺牲层的材料为硅、氢化硅、锗、氢化锗或氢化硅锗合金。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述牺牲层的材料为硅、氢化硅、锗、氢化锗或氢化硅锗合金的卤化物合金。