[发明专利]用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体无效
申请号: | 200810125876.3 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101367756A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 萧满超;T·R·加夫尼 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | C07C395/00 | 分类号: | C07C395/00;C23C16/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;范赤 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 说明书中公开了用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体,特别是含碲(Te)前驱体、含Te硫属元素化物相变材料。说明书中还公开了使用ALD、CVD或循环CVD法制造含Te硫属元素化物相变材料的方法,其中至少一种公开的含碲(Te)前驱体引入该方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 相变 存储器 材料 te 前驱 | ||
【主权项】:
1.含Te组合物,包括具有以下一般结构的氘化有机碲酚:R-Te-D其中R选自含1—10个碳的直链、支链或环状形式的烷基或烯基;含C6-12 的芳基;二烷氨基;甲硅烷基和有机锗基。
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