[发明专利]用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体

权利要求书

1.含Te组合物，包括具有以下一般结构的氘化有机碲酚：

R-Te-D

其中R选自正丁基和叔丁基，和D是氘。

2.含Te硫属元素化物相变材料，通过Te前驱体合成，

该Te前驱体是有机碲酚，其具有一般结构：

R-Te-R’

其中R选自正丁基和叔丁基；和R’是氘。

3.在基底上沉积含Te硫属元素化物相变材料的方法，包括以下步骤：

沉积包括具有以下一般结构的有机碲酚的Te前驱体：

R-Te-R’

其中R选自正丁基和叔丁基；和R’是氘；

沉积包括具有以下一般结构的氨基锗烷的Ge前驱体：

(R¹R²N)₄Ge

其中R¹和R²为含有1-10个碳的直链、支链或环状形式的烷基；和

沉积包括具有以下一般结构的氨基锑烷的Sb前驱体：

(R¹R²N)₃Sb    

其中R¹和R²为含有1-10个碳的直链、支链或环状形式的烷基。

4.权利要求3的方法，其中该方法进一步包括在每个沉积步骤之后引入氢 或氢等离子体的步骤。

5.权利要求3的方法，其中该方法进一步包括在三个沉积步骤之后引入氢 或氢等离子体的步骤。

6.权利要求3的方法，其中依次或同时实施三个沉积步骤。

7.权利要求3的方法，其中同时实施三个沉积步骤中的任何两个。

8.权利要求3的方法，其中通过选自ALD、CVD和循环CVD法的方法实 施沉积。