[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810125560.4 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101350500A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 久义浩;山口勉;西田武弘;平松健司 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/028;H01S5/022;H01L27/15;H01L21/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 闫小龙;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够防止在向封装件安装的前后各半导体激光器元件的偏振光旋转的半导体发光装置及其制造方法。在同一衬底(11)上形成多个半导体激光器元件(10a)、(10b)。此外,在多个半导体激光器元件(10a)、(10b)的主面形成Au镀层(16)。并且,使用涂敷在Au镀层(16)上的焊料,将多个半导体激光器元件(10a)、(10b)安装在封装件(22)上。将夹持各半导体激光器元件(10a)、(10b)的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域。并且,在各半导体激光器元件(10a)、(10b)的第一区域和第二区域,使Au镀层(16)的厚度的平均值不一致。
搜索关键词: 半导体 发光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体发光装置,其特征在于,具备:形成在同一衬底上的多个半导体激光器元件;形成在所述多个半导体激光器元件的主面上的Au镀层;封装件,使用涂敷在所述Au镀层上的焊料安装有所述多个半导体激光器元件,将夹持各半导体激光器元件的发光区域而对置的区域分别作为第一区域和第二区域,在各半导体激光器元件的所述第一区域和第二区域,使所述Au镀层的厚度的平均值不一致。
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