[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于，

具备：形成在同一衬底上的第一以及第二半导体激光器元件；形成 在所述第一以及第二半导体激光器元件的主面上的Au镀层；以及副固 定件，在该副固定件上，使用涂敷在所述Au镀层上的焊料安装有所述 第一以及第二半导体激光器元件，

将夹持各半导体激光器元件的发光区域而对置的区域分别作为第 一区域和第二区域，

在各半导体激光器元件中，所述第一区域靠近所述衬底的外侧，所 述第二区域靠近所述衬底的中心部，

在各半导体激光器元件的所述第一区域和所述第二区域，使所述 Au镀层的厚度的平均值不一致。

2.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

具备如下步骤：在同一衬底上形成第一以及第二半导体激光器元 件；在所述第一以及第二半导体激光器元件的主面形成Au镀层；在所 述Au镀层上涂敷焊料，使用所述焊料，将所述第一以及第二半导体激 光器元件安装在副固定件上，

将夹持各半导体激光器元件的发光区域而对置的区域分别作为第 一区域和第二区域，

在各半导体激光器元件中，所述第一区域靠近所述衬底的外侧，所 述第二区域靠近所述衬底的中心部，

在各半导体激光器元件的所述第一区域和所述第二区域，使所述 Au镀层的厚度的平均值不一致。

3.如权利要求2的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

形成所述Au镀层的步骤具有如下步骤：在各半导体激光器元件的 所述第一区域以及所述第二区域形成第一Au镀层；用掩模覆盖各半导 体激光器元件的所述第一区域，并在所述第二区域形成第二Au镀层。

4.如权利要求2的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

还具备如下步骤：在各半导体激光器元件的主面，在所述第一区域 和所述第二区域分别形成电隔离的第一电极图形和第二电极图形，

形成所述Au镀层的步骤具有如下步骤：仅向所述第一电极图形提 供电镀用的电流，形成第一Au镀层；对所述第一电极图形以及所述第 二电极图形提供电镀用的电流，形成第二Au镀层。

5.如权利要求2的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

还具备如下步骤：在各半导体激光器元件的主面，在所述第一区域 和所述第二区域分别形成电隔离的第一电极图形和第二电极图形，

在形成所述Au镀层的步骤中，分别向所述第一电极图形和所述第 二电极图形提供电流值不同的电镀用的电流，形成Au镀层。

6.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

具备如下步骤：在同一衬底上形成第一以及第二半导体激光器元 件；在所述第一以及第二半导体激光器元件的主面形成Au镀层；在所 述Au镀层上涂敷焊料，使用所述焊料，将所述第一以及第二半导体激 光器元件安装在副固定件上，

将夹持各半导体激光器元件的发光区域而对置的区域分别作为第 一区域和第二区域，

在各半导体激光器元件中，所述第一区域靠近所述衬底的外侧，所 述第二区域靠近所述衬底的中心部，

在各半导体激光器元件的所述第一区域和所述第二区域，使所述 Au镀层的厚度相同，并且在所述第一区域和所述第二区域，使所述Au 镀层的形成面积不一致。