[发明专利]单片半导体激光器的制造方法无效
| 申请号： | 200810125556.8 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101409425A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 笠井信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制激光器特性的偏差并提高可靠性的单片半导体激光器的制造方法。形成元件间隔离的第一、第二半导体激光器(19)、(29)。第二半导体激光器(29)的第四上覆盖层(26)和第二接触层(27)相加的膜厚X比第一半导体激光器(19)的第二上覆盖层(16)和第一接触层(17)相加的膜厚Y薄。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的干法刻蚀，同时在第一、第二半导体激光器(19)、(29)上形成第一、第二脊(32)、(33)，在第二刻蚀停止层(25)在第二脊(33)的侧面的部分露出的时刻停止干法刻蚀。利用将抗蚀剂(31)作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第一脊(32)的侧面的部分在残留所述第一刻蚀停止层(15)上的第二上覆盖层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：在半导体衬底上，形成第一半导体激光器的第一下覆盖层、第一活性层、第一上覆盖层、第一刻蚀停止层、第二上覆盖层以及第一接触层；在所述半导体衬底上，形成与所述第一半导体激光器进行元件间隔离的第二半导体激光器的第二下覆盖层、第二活性层、第三上覆盖层、第二刻蚀停止层、第四上覆盖层以及第二接触层，使得所述第四上覆盖层和所述第二接触层相加的膜厚比所述第二上覆盖层和所述第一接触层相加的膜厚薄；在整个表面上形成抗蚀剂，对所述抗蚀剂进行构图，在所述第一、第二半导体激光器上形成开口；利用将所述抗蚀剂作为掩模的干法刻蚀，同时在所述第二上覆盖层以及所述第一接触层、和所述第四上覆盖层以及所述第二接触层上分别形成第一、第二脊，在所述第二刻蚀停止层在所述第二脊的侧面的部分露出的时刻，使干法刻蚀停止；利用将所述抗蚀剂作为掩模的湿法刻蚀，选择性地除去在第一脊的侧面的部分残留在所述第一刻蚀停止层上的第二上覆盖层。
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